pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。
A: 体电阻上压降
B: 势垒区的产生与复合
C: 大注入条件
D: pn结反向击穿
A: 体电阻上压降
B: 势垒区的产生与复合
C: 大注入条件
D: pn结反向击穿
举一反三
- pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。 A: 体电阻上压降 B: 势垒区的产生与复合 C: 大注入条件 D: pn结反向击穿
- 导致pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素包括： A: 表面效应。 B: 势垒区中的产生及复合。 C: 大注入条件。 D: 串联电阻效应。
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，d段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]180315a40d94590.jpeg[/img] A: 势垒区复合电流 B: 势垒区扩散电流 C: 大注入 D: 体电阻分压
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]18036f7e753ba21.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]17de937ff881f5c.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入