pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。
A: 体电阻上压降
B: 势垒区的产生与复合
C: 大注入条件
D: pn结反向击穿
A: 体电阻上压降
B: 势垒区的产生与复合
C: 大注入条件
D: pn结反向击穿
D
举一反三
- pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。 A: 体电阻上压降 B: 势垒区的产生与复合 C: 大注入条件 D: pn结反向击穿
- 导致pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素包括： A: 表面效应。 B: 势垒区中的产生及复合。 C: 大注入条件。 D: 串联电阻效应。
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，d段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]180315a40d94590.jpeg[/img] A: 势垒区复合电流 B: 势垒区扩散电流 C: 大注入 D: 体电阻分压
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]18036f7e753ba21.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入
- 下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。[img=501x606]17de937ff881f5c.jpg[/img] A: 体电阻分压 B: 势垒区复合电流 C: 势垒区扩散电流 D: 大注入
内容
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影响pn结电流电压特性的非理想因素主要有哪些?(<br/>) A: 势垒区产生电流; B: 势垒区复合电流; C: 大注入; D: 表面态;
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关于pn结雪崩击穿，下列说法正确的包括： A: 来自高反向偏压下，pn结中载流子的倍增效应。 B: 宽pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 C: 窄pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 D: pn结势垒区宽度对雪崩击穿没影响。
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中国大学MOOC: pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（ ）。
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肖特基势垒二极管的电流电压特性与pn结二极管有何不同?(<br/>) A: 肖特基势垒二极管的反向电流远大于pn结二极管的反向电流; B: 肖特基势垒二极管的开启电压小于pn结势垒二极管的开启电压; C: 肖特基势垒二极管的频率相应快于pn结势垒二极管的开启电压; D: 理想肖特基势垒二极管反向电流不饱和,而理想pn结二极管的反向电流饱和;
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实际pn结的电流电压特性在电流很大时,往往偏离理想预测,其可能原因是( ).jj A: 大注入发生 B: 寄生电阻较大 C: pn结温度升高 D: 复合电流起作用