当红外辐射照射在某些半导体材料的PN结上时，在结内电场的作用下，自由电子移向P区，空穴移向n区。如果PN结开路，则在PN结两端便产生一个附加电势，称为光生电动势
举一反三
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。 A: P区； B: N区； C: 结区； D: 中间区。
- 以下关于PN结的说法正确的是？ A: PN结的N区产生负离子，P区产生正离子 B: PN结具有单向导电性 C: PN结的内电场方向由P区指向N区 D: 对PN结施加反向电压，内外电场方向相反，PN结变薄
- 硅光电池是在N型硅片上渗入形成一个PN结附近激发出光生电子、空穴对时，由PN结将光生电子、空穴对进行漂移，使PN结两边半导体产生。
- 当PN结及附近被光照射时，若光子能量大于材料禁带宽度时会产生电子-空穴对，在内电场作用下，电子-空穴分别漂移到（ ）和（ ），使P端电势（ ），N端电势（ ）。 A: P区 N区 升高 降低 B: N区 P区 升高 降低 C: N区 P区 降低 升高 D: P区 N区 降低 升高