抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生？
A: Ca2+；
B: Na+；
C: K+；
D: Cl-和K+。
A: Ca2+；
B: Na+；
C: K+；
D: Cl-和K+。
举一反三
- 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？ A: Na+ B: K+ C: Na+和K+ D: Ca2+ E: Cl-
- 110. 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致 A: Na+、Cl-、K+ B: Ca、K+、Cl- C: Na+、K+ D: K+、Cl-
- 抑制性突触后电位是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的，主要是 A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na + C: Ca2+、Na+、Cl-，尤其是Cl- D: K+，Cl-，尤其是Cl-
- 抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性( ) A: Na+,Cl-,K+,尤其是对K+ B: Ca2+,K+,Cl-,尤其是对Ca2+ C: Na+,K+,尤其是对Na+ D: K+,Cl-,尤其是对Cl-
- 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位（） A: Na＋、Cl-、K＋，尤其是K＋ B: Ca2＋、K＋、Cl-，尤其是Ca2＋ C: Na＋、K＋，尤其是Na＋ D: K＋、Cl-，尤其是Cl- E: K＋、Ca2＋、Na＋，尤其是Ca2＋