兴奋性突出后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
A: K+和C2+
B: Na+和K+，尤其是K+
C: Na+和K+，尤其是Na+
D: Na+和Ca2+
E: Cl-
A: K+和C2+
B: Na+和K+，尤其是K+
C: Na+和K+，尤其是Na+
D: Na+和Ca2+
E: Cl-
举一反三
- 抑制性突触后电位是由于突触后膜对某些离子的通透性增加而产生的，主要是 A: K+、Na+,尤其是K+ B: K+、Na+,尤其是Na + C: Ca2+、Na+、Cl-，尤其是Cl- D: K+，Cl-，尤其是Cl-
- 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位（） A: Na＋、Cl-、K＋，尤其是K＋ B: Ca2＋、K＋、Cl-，尤其是Ca2＋ C: Na＋、K＋，尤其是Na＋ D: K＋、Cl-，尤其是Cl- E: K＋、Ca2＋、Na＋，尤其是Ca2＋
- "抑制性突触后电位()的形成机制是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的? A: Na+、K+、Cl-,尤其Na+ B: Na+、K+、Cl-,尤其Cl- C: K+、Cl-,尤其Cl- D: K+、Cl-,尤其K+ E: Ca2+、Na+,尤其Ca2+"
- 兴奋性突触后电位是突触后膜对什么离子的通透性增加而引起的（） A: K+和Ca2+ B: Na+和K+，尤其是K+ C: Na+和K+，尤其是Na+ D: Na+和Ca2+ E: Cl-
- IPSP 是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 A: Na+、K+、Cl-,尤其是K+ B: Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ C: K+、Cl-,尤其是Cl- D: K+、Cl-,尤其是K+ E: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+