向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E: 在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F: 在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E: 在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F: 在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
举一反三
- 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体, A: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反 B: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致 C: 内部多数载流子类型为自由电子 D: 在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
- 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。 A: 内部多数载流子类型为自由电子 B: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反 C: 内部多数载流子类型为空穴 D: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致 E: 若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子 F: 若失去产生的多子空穴，杂质元素生成带负电的受主离子
- 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。 A: 内部多数载流子类型为自由电子 B: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反 C: 内部多数载流子类型为空穴 D: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致 E: 若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子 F: 若失去产生的多子空穴，杂质元素生成带负电的受主离子
- 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。 A: 内部多数载流子类型为自由电子 B: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反 C: 内部多数载流子类型为空穴 D: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
- 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。 A: 内部多数载流子类型为自由电子 B: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反 C: 内部多数载流子类型为空穴 D: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致