8、锗二极管的死区电压是0.1V，导通电压是 V，硅二极管的死区电压是0.5V，导通电压是 V
0.3；0.7
举一反三
内容
- 0
硅二极管的死区电压为 V, 锗二极管的死区电压为 V。
- 1
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
- 2
【填空题】常温下,硅二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V,锗二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V
- 3
硅二极管的死区电压为（）V导通电压为（）V
- 4
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5