硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
0.5 0.2 0.7 0.3
举一反三
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 普通锗二极管的死区电压约为 V，正向导通后管压降约为 V
- 硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。
- 二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。
内容
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硅二极管导通时的正向管压降约 ____v,锗二极管导通时的管压降约 ____v
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【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
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硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
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硅管的死区电压约为 V，锗管的死区电压约为 V。
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锗二极管正向导通压降约为 V；硅二极管门坎电压约为 V。