离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
对
举一反三
- 离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 粒子束注入，离子掺杂可以对材料进行改性
内容
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离子注入的过程中,在同样的硅片面积下,注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大小,束流越大、注入时间越长,达到的剂量越大。( )
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常见的辐照技术主要有（）。? 辐射接枝|辐射交联|离子掺杂|离子束注入
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186.离子注入的过程中，在同样的硅片面积下，注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大[br][/br]小，束流越大、注入时间越长，达到的剂量越大。
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以下属于辐照技术的有（）。 A: 辐射接枝 B: 离子束注入 C: 离子掺杂 D: 加热
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使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入