光生电场除了一部分抵消内建电场外，还使P区带 电，N区带 电，在PN结两端产生电势差，这就是光生伏特效应。
举一反三
- 当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。 A: P区； B: N区； C: 结区； D: 中间区。
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 3.光生电场方向与内建电场相反，由p区指向n区。
- 在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ）电荷，N区一侧带（ ）电荷，内建电场方向是从（ ）指向（ ）区 A: P区一侧带正电荷，N区一侧带负电荷，内建电场方向是从N区指向P区 B: P区一侧带负电荷，N区一侧带正电荷，内建电场方向是从N区指向P区 C: P区一侧带负电荷，N区一侧带正电荷，内建电场方向是从P区指向N区
- PN结中产生的光生电场和内建电场方向相同。