PN结结区载流子耗尽，不存在载流子的产生和复合。
错误
举一反三
内容
- 0
对于电注入发光，可以在半导体PN结加正向偏压以产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。
- 1
空间电荷区产生由N区指向P区的电场称为____,它阻碍多数载流子的扩散,但它有利于少数载流子穿过PN结。
- 2
光电二极管探测器响应时间由什么因素决定 A: 耗尽区的光载流子的渡越时间 B: 耗尽区外产生的光载流子的扩散时间 C: 光电二极管以及与其相关的电路的RC时间常数 D: 耗尽区产生光载流子的数量
- 3
PN结的反向饱和电流与哪些载流子有关? A: 少数载流子 B: 多数载流子 C: 少数载流子和多数载流子
- 4
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的和少数载流子的。