PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
举一反三
- N型半导体中多数载流子是____,P型半导体中多数载流子是____,PN结具有____特性
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
- 空间电荷区产生由N区指向P区的电场称为____,它阻碍多数载流子的扩散,但它有利于少数载流子穿过PN结。
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（ ）区向（ ）区进行扩散，N型半导体中的多数载流了由（ ）区向（ ）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（ ），其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的( )起削弱作用,对少子的( )起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，( )形成。
- PN结的扩散运动参与的载流子是多数载流子