关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( )A: 越小 越大B: 越大 越小C: 越大 越大D: 越小 越小 答案： 查看 举一反三 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，则阈值电压 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不一定 衬底的掺杂浓度越大,MOS管的阈值电压()。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定 中国大学MOOC: 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，则阈值电压 在交流电中,在电压一定时,频率越低,容抗XC( ),而通过的电流I则( )。 A: 越大/越大 B: 越大/越小 C: 越小/越大 D: 越小/越小
