关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 答案： 查看 举一反三 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小 中国大学MOOC: 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，则阈值电压 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，则阈值电压 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不一定 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越() 衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。
