关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是 。
A: 靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
B: 靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C: 靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D: 靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
A: 靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
B: 靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C: 靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D: 靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
举一反三
- 如图所示，带电体Q靠近一个接地空腔导体，空腔里面无电荷．在静电平衡后，下列物理量中等于零的是 ( )．[img=116x57]17d60a52912c2f5.png[/img] A: 导体空腔内表面的电荷量 B: 导体空腔内任意点的场强 C: 导体外表面的电荷量 D: 导体空腔内任意点的电势
- 如果用一个正电荷去吸引不带电的金属导体,那么是不是除了靠近电荷的一端有负电荷,其余都是正电荷?还是靠近电荷的一端是负电荷另一端是正电荷,中间没有正负电荷?
- 如图所示，带电体Q靠近一个接地空腔导体，空腔里面无电荷．在静电平衡后，下列物理量中等于零的是 ( )．<img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/202002/6970bd4635ed4ae485bc17953c4f0f72.png" /> A: 导体空腔内表面的电荷量 B: 导体空腔内任意点的场强 C: 导体外表面的电荷量 D: 导体空腔内任意点的电势
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。 A: 当薄层电荷贴近金属 B: 当薄层电荷贴近半导体 C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间 D: 当薄层电荷居于氧化层
- Si/SiO2系统的4种电荷，能与半导体交换载流子的是 A: SiO2中的可动离子 B: SiO2中的固定电荷 C: SiO2中的陷阱电荷 D: Si/SiO2界面的快界面态