功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。
A: 当薄层电荷贴近金属
B: 当薄层电荷贴近半导体
C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间
D: 当薄层电荷居于氧化层
A: 当薄层电荷贴近金属
B: 当薄层电荷贴近半导体
C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间
D: 当薄层电荷居于氧化层
举一反三
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。 A: 正确 B: 错误
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是 。 A: 靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大 B: 靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大 C: 靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同 D: 靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷