双极型晶体管的发射极发射效率与发射区的掺杂浓度有关
举一反三
- 双极型晶体管的基区输运系数主要取决于 A: 发射区宽度 B: 基区宽度 C: 发射效率 D: 集电区宽度
- 双极型晶体管的发射区一般掺杂浓度要低于集电区。
- 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用 。( )
- 以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a49699007.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
- 以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a5303f7bc.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}