以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。
未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a5303f7bc.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a5303f7bc.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
举一反三
- 以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a49699007.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
- 双极型晶体管的发射极发射效率与发射区的掺杂浓度有关
- 下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率 A: 提高发射区的掺杂浓度 B: 采用宽禁带基区材料 C: 减小基区掺杂浓度 D: 减少发射结复合电流
- 差动放大电路由双端输出改为单端输出，其共模抑制比减小的原因是 。 未知类型：{'options': ['1802d20611e54f7.bmp不变，[img=24x25]1802d20619d6ddd.bmp[/img]增大', '1802d20611e54f7.bmp减小，[img=24x25]1802d20619d6ddd.bmp[/img]增大', '1802d20611e54f7.bmp减小，[img=24x25]1802d20619d6ddd.bmp[/img]不变', '1802d20611e54f7.bmp增大，[img=24x25]1802d20619d6ddd.bmp[/img]增大'], 'type': 102}
- 差动放大电路由双端输出改为单端输出，其共模抑制比减小的原因是 。 未知类型：{'options': ['1803989f8270932.bmp不变，[img=24x25]1803989f8af990b.bmp[/img]增大', '1803989f8270932.bmp减小，[img=24x25]1803989f8af990b.bmp[/img]增大', '1803989f8270932.bmp减小，[img=24x25]1803989f8af990b.bmp[/img]不变', '1803989f8270932.bmp增大，[img=24x25]1803989f8af990b.bmp[/img]增大'], 'type': 102}