在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：
A: 集电区穿通效应
B: Early 效应
C: 基区穿通效应
D: Webster效应
A: 集电区穿通效应
B: Early 效应
C: 基区穿通效应
D: Webster效应
举一反三
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度： A: 减小集电区的掺杂浓度 B: 在集电区引入产生-复合中心 C: 减小集电区宽度 D: 减小基区宽度
- 在大电流的情况下，导致双极型晶体管增益下降的原因是 A: 发射极电流集边效应 B: 发射结复合电流 C: Early 效应 D: Webster 效应
- 要减弱双极型晶体管基区宽度调变效应，可采取降低基区掺杂浓度、增大基区宽度等措施。
- 要减弱双极型晶体管基区宽度调变效应，可采取降低基区掺杂浓度、增大基区宽度等措施。 A: 正确 B: 错误