关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 MOS结构的阈值电压对应的是半导体表面恰好达到反型的栅电压 MOS结构的阈值电压对应的是半导体表面恰好达到反型的栅电压 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 阈值电压指MOS结构恰好达到强反型时所对应的栅电压 阈值电压指MOS结构恰好达到强反型时所对应的栅电压 A: 正确 B: 错误 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。 以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
