以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于
A: 积累
B: 耗尽
C: 反型
D: 平带
A: 积累
B: 耗尽
C: 反型
D: 平带
举一反三
- 以N-Si为衬底的理想MOS结构，达到强反型时，半导体表面电荷是 A: 负电荷 B: 正电荷
- 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,耗尽时半导体表面能带向()弯曲
- 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型
- MIS结构的半导体表面( ) 时，表面近似为本征表面。 A: 多子积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。