最大漏极电流IDM
举一反三
- 功率MOSFET的极限参数指的是（）。 A: 最大漏极电流 B: 最小漏极电流 C: 最大许用漏-源电压 D: 最小许用漏-源电压
- 场效应晶体管的放大作用表现为（ ）。 A: 栅极电流控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电流 C: 漏源电压控制漏极电流 D: 源极电流控制漏极电流
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
- 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅极电流 B: 栅极电压 C: 漏极电流 D: 漏极电压
- 场效应管的工作原理是() A: 栅源电压控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电压 C: 栅极电流控制漏极电流 D: 栅极电流控制漏极电压