以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是：
A: 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。
B: 在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。
C: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
D: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。
E: 声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
A: 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。
B: 在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。
C: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
D: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。
E: 声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
A,A,A,B,C
举一反三
- 以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是?() A: 可以看作是电子与声子的相互作用 B: 起主要散射作用的是长波,而且是纵波 C: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大 D: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低 E: 声学波散射的散射几率随温度升高而增大;光学波散射的散射几率随温度升高而降低 F: 起主要散射作用的是长波,而且是横波
- 在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？
内容
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下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
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Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
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半导体中的晶格振动散射主要包括声学波和光学波，长波的声学波代表的原胞质心振动，长波的光学波代表原胞中两个原子的相对运动。(<br/>)
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常见散射机制中，随温度升高变剧烈的是（）散射。
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多种散射机构同时存在时,下列不正确的是( ) A: 总的散射几率减小了 B: 载流子的迁移率更小了 C: 总的散射几率增大了 D: 总散射几率是各种散射机构引起的散射几率之和