Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：
A: 电离杂质散射
B: 声学波散射
C: 光学波散射
D: 谷间散射
E: 位错散射
A: 电离杂质散射
B: 声学波散射
C: 光学波散射
D: 谷间散射
E: 位错散射
举一反三
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、 （）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。