由三极管的制造过程可知,三极管的结构特点是:发射区掺杂浓度最高;基区____,掺杂浓度____;集电区掺杂浓度比发射区低,但面积较大。当温度升高时,晶体管的参数β____,ICBO____,导通电压____。[br][/br](填空题)
最薄#最低#增大#增大#减小
举一反三
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
- 三极管的三个区的结构特点是：发射区的掺杂浓度最高，集电区的掺杂浓度最低；集电区空间最大，基区的空间最小。
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 三极管有三个区：发射区、基区和集电区，其中发射区应满足掺杂浓度低而且要薄
- 从掺杂浓度角度分析,双极性三极管内部,掺杂浓度最高的是(<br/>) A: 集电区 B: 发射区 C: 基区
内容
- 0
三极管哪个区的掺杂浓度最高( ) A: 基区 B: 发射区 C: 集电区 D: 不确定
- 1
BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
- 2
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 3
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 4
关于BJT的结构特点说法错误的是（）。 A: 基区很薄且掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D: 集电区面积大于发射区面积