霍尔电动势随温度变化的原因有（ ）。
A: 霍尔元件的灵敏度随温度发生变化；
B: 内阻随温度发生变化；
C: 霍尔系数随温度发生变化；
D: 半导体材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度变化。
A: 霍尔元件的灵敏度随温度发生变化；
B: 内阻随温度发生变化；
C: 霍尔系数随温度发生变化；
D: 半导体材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度变化。
举一反三
- 一般半导体材料的电阻率、迁移率和载流于浓度等都随温度而变化。霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电动势变化，产生温度误差。
- 霍尔元件之所以要对温度误差进行补偿，是因为霍尔系数和霍尔灵敏度随温度变化。（ ）
- 对于过渡金属氧化物，电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对来说可以忽略。
- 关于“载流子浓度随温度的变化”，以下说法正确的是： A: 低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化 B: 强电离区，载流子浓度不随温度变化 C: 本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化 D: 强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化 E: 本征激发区，载流子浓度不随温度变化 F: 低温区，载流子浓度不随温度变化
- 金属的晶体结构不能随温度变化而发生变化。