对于过渡金属氧化物，电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对来说可以忽略。
举一反三
- 霍尔电动势随温度变化的原因有（ ）。 A: 霍尔元件的灵敏度随温度发生变化； B: 内阻随温度发生变化； C: 霍尔系数随温度发生变化； D: 半导体材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度变化。
- 关于“载流子浓度随温度的变化”，以下说法正确的是： A: 低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化 B: 强电离区，载流子浓度不随温度变化 C: 本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化 D: 强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化 E: 本征激发区，载流子浓度不随温度变化 F: 低温区，载流子浓度不随温度变化
- 电阻温度计是根据其电阻阻值随（）变化而变化这一原理测量温度的。 A: 压力 B: 电阻率 C: 温度
- 一般半导体材料的电阻率、迁移率和载流于浓度等都随温度而变化。霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电动势变化，产生温度误差。
- 关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。 A: 杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降 B: 低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降 C: 高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降 D: 当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素