有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是3Å，其带隙有可能是eV。
A: 1.2
B: 2.1
C: 1.0
D: 以上都不可能
A: 1.2
B: 2.1
C: 1.0
D: 以上都不可能
举一反三
- 有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是4Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是5Å,其带隙有可能是_____eV。 A: 2.1 B: 1.0 C: 1.2 D: 以上都不可能
- 有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是5Å，其带隙有可能是___ __eV。 A: 其余选项都不是 B: 1.2 C: 1 D: 2.1
- 有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是_____eV
- 半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
- 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV