关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。 半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。 A: 正确 B: 错误 从能带结构上来看，砷化镓材料属于____________________带隙半导体。 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。 半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。
