紧束缚近似下晶格常数为a的简立方晶体的s电子能带函数E(k)为
A: [img=481x44]1803be1d4c0d78b.png[/img]
B: [img=284x44]1803be1d558de60.png[/img]
C: [img=321x28]1803be1d604780b.png[/img]
D: [img=181x27]1803be1d68b9f49.png[/img]
A: [img=481x44]1803be1d4c0d78b.png[/img]
B: [img=284x44]1803be1d558de60.png[/img]
C: [img=321x28]1803be1d604780b.png[/img]
D: [img=181x27]1803be1d68b9f49.png[/img]
举一反三
- 函数[img=73x26]1803467b5e85eef.png[/img]的极值为（ ）. A: f(0)=1 B: f(1)=2 C: x=0 D: x=1
- 函数f(x)=[img=40x76]17e0bf8d391c13e.png[/img]的不连续点为( ) 未知类型：{'options': ['x=0', ' x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=2kπ(k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)'], 'type': 102}
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18033e117e9725e.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18033e11879f263.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18033e1190d2ef2.png[/img]