晶体管在高频时的结构模型由（ ）组成。[img=268x376]17de9260822d1cd.jpg[/img]
A: 体电阻
B: 结电阻
C: 结电容
D: 自由电子和空穴
A: 体电阻
B: 结电阻
C: 结电容
D: 自由电子和空穴
举一反三
- 在高频小信号谐振放大器中，存在不稳定的主要原因________ A: 谐振回路电容C B: 晶体管结电容[img=30x30]1803ca8ee559599.png[/img] C: 晶体管结电容[img=30x30]1803ca8eefba5c2.png[/img] D: 晶体管结电容[img=35x30]1803ca8efa2775a.png[/img]
- 在高频小信号谐振放大器中，存在不稳定的主要原因 A: 谐振回路电容C B: 晶体管结电容[img=28x25]1803b86a5849711.png[/img] C: 晶体管结电容[img=25x22]1803b86a609029a.png[/img] D: [img=27x25]1803b86a68f43e4.png[/img]
- 在高频小信号谐振放大器中，存在不稳定的主要原因________ 未知类型：{'options': ['谐振回路电容C', '晶体管结电容[img=30x30]17de945fc61098f.png[/img]', '晶体管结电容[img=30x30]17de945fd3afa48.png[/img]', '晶体管结电容[img=35x30]17de945fe18314d.png[/img]'], 'type': 102}
- 在高频小信号谐振放大器中，存在不稳定的主要原因 未知类型：{'options': ['谐振回路电容C', '晶体管结电容[img=28x25]17de91bc54c97fc.png[/img]', '晶体管结电容[img=25x22]17de91bc61e9af6.png[/img]', ''], 'type': 102}
- 上限截止频率由晶体管结电容及电容所在回路的电阻共同决定；