变容二极管的电容是（）形成的. A: PN结电阻 B: 引线接触电阻 C: 耗尽区电荷 D: 正向扩散电流
变容二极管的电容是（）形成的. A: PN结电阻 B: 引线接触电阻 C: 耗尽区电荷 D: 正向扩散电流
理想二极管当其正偏时，结电阻为零，反向时结电阻为无穷大。（)
理想二极管当其正偏时，结电阻为零，反向时结电阻为无穷大。（)
所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为____,反偏时结电阻为____。
所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为____,反偏时结电阻为____。
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。 A: 耦合电容 B: 管子内部结电容 C: 偏置电阻 D: 发射结电阻
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。 A: 耦合电容 B: 管子内部结电容 C: 偏置电阻 D: 发射结电阻
晶体管在高频时的结构模型由（ ）组成。[img=268x376]17de9260822d1cd.jpg[/img] A: 体电阻 B: 结电阻 C: 结电容 D: 自由电子和空穴
晶体管在高频时的结构模型由（ ）组成。[img=268x376]17de9260822d1cd.jpg[/img] A: 体电阻 B: 结电阻 C: 结电容 D: 自由电子和空穴
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。 A: A耦合电容 B: B管子内部结电容 C: C偏置电阻 D: D发射结电阻
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。 A: A耦合电容 B: B管子内部结电容 C: C偏置电阻 D: D发射结电阻
对于理想二极管,当其正偏时,结电阻为____,相当于开关____;当其反偏时,结电阻为____,相当于开关____
对于理想二极管,当其正偏时,结电阻为____,相当于开关____;当其反偏时,结电阻为____,相当于开关____
PN结具有单向导电性，即正向偏置时，PN结电阻很小，呈状态；反向偏置时，PN结电阻很大，呈状态。
PN结具有单向导电性，即正向偏置时，PN结电阻很小，呈状态；反向偏置时，PN结电阻很大，呈状态。
所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为 ,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为 ,等效成断开
所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为 ,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为 ,等效成断开
所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。