IGBT的特点说法不正确的是( )
A: IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件
B: IGBT目前没有抗短路能力
C: IGBT是电压型驱动器件
D: IGBT的设计中需要提供过电压保护
A: IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件
B: IGBT目前没有抗短路能力
C: IGBT是电压型驱动器件
D: IGBT的设计中需要提供过电压保护
举一反三
- IGBT属于电压驱动型器件。
- IGBT是 型器件(电压驱动,电流驱动)
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应