关于IGBT，下面（ ）正确。
A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；
B: IGBT存在电导调制效应；
C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快；
D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；
B: IGBT存在电导调制效应；
C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快；
D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
举一反三
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是: A: GTO B: IGBT C: GTR D: MCT
- 同等功率下，下面哪种器件的开关速度最快： A: IGBT B: MOSFET C: GTR D: SCR