在PN结的形成过程中，下列说法中错误的是（）
A: 多数载流子的运动称为漂移；
B: 电子与空穴的中和称为复合；
C: 多数载流子的运动称为扩散；
D: 少数载流子的运动称为漂移；
A: 多数载流子的运动称为漂移；
B: 电子与空穴的中和称为复合；
C: 多数载流子的运动称为扩散；
D: 少数载流子的运动称为漂移；
举一反三
- PN结两端加正向电压时，载流子的运动方式为（）。 A: 多数的载流子扩散运动 B: 少数的载流子漂移运动 C: 多数载流子的漂移运动
- PN结的反向电流是由（） 载流子（） 运动形成。 A: 少数，漂移 B: 多数，漂移 C: 多数，扩散 D: 少数，扩散
- 在PN结的形成过程中，多数载流子的扩散和少数载流子漂移运动最终达到平衡，使PN结的宽度一定
- 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。 A: 自由电子，空穴；扩散，飘移 B: 空穴，自由电子；漂移，扩散 C: 空穴，自由电子；扩散，漂移 D: 自由电子，空穴；漂移，扩散 E: 自由电子，空穴；扩散，扩散
- PN结内电场产生后，对载流子的影响是（） A: 多少载流子的扩散运动会加剧 B: 多少载流子的扩散运动会减弱 C: 少数载流子的漂移运动会减弱 D: 稳定的PN结形成后，由于多数载流子总是多于少数载流子，所以扩散运动总是会大于少数载流子的漂移运动