硅二极管导通时的正向压降为V,锗二极管导通时的正向压降为V()
A: 0.7
B: 1
C: 0.3
D: 5
A: 0.7
B: 1
C: 0.3
D: 5
A,C
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举一反三
内容
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2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V,硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
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硅二极管死区电压约为 V,锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V,锗二极管导通时的管压降约为 V
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导通以后,二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降,硅管约为( )V,锗管约为( )伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
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二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
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硅二极管导通时的正向管压降约V() A: 0.7 B: 0.8 C: 0.9 D: 0.6