• 2022-06-19
    硅材料三极管导通后[img=25x17]17e0b647144d4e4.jpg[/img]=()V。
    A: 0.1
    B: 0.3
    C: 0.5
    D: 0.7
  • D

    内容

    • 0

      已知X服从均匀分布[-4,4],那么[img=177x32]17da5cdd0e038a6.png[/img] A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7

    • 1

      常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7

    • 2

      导通以后,二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降,硅管约为( )V,锗管约为( )伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2

    • 3

      硅材料二极管的死区电压为()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7

    • 4

      硅二极管的导通电压约为( )V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7