利用数字万用表判别三极管的性能时，对于NPN型三极管，当红表笔接b极，黑表笔接e，c极时，对性能良好的硅管，显示值一般在（）V，对于性能良好的锗管，显示一般在（）V。
A: 0.3～0.5；0.1～0.35
B: 0.5～0.7；0.1～0.35
C: 0.3～0.5；0.1～0.55
D: 0.5～0.7；0.1～0.55
A: 0.3～0.5；0.1～0.35
B: 0.5～0.7；0.1～0.35
C: 0.3～0.5；0.1～0.55
D: 0.5～0.7；0.1～0.55
B
举一反三
- 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） A: 0.5 B: 0.7 C: 0.3 D: 0.1
- 二极管导通后，硅管的管压降约为_______。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
- 硅材料三极管导通后[img=25x17]17e0b647144d4e4.jpg[/img]=()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 一般硅二极管死区电压为小于（）V。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
内容
- 0
在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 1
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
- 2
硅材料二极管的死区电压为（）V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 3
在TLC分析中，Rf值的最佳范围 （）。 A: 0.1～0.5 B: 0.1～1.0 C: 0.2～0.8 D: 0.3～0.5 E: 0.3～0.7
- 4
在垃圾转运站设置要求中，每（）km A: 0.1～0.3 B: 0.3～0.5 C: 0.5～0.7 D: 0.7～1.0