芯片在实际工作状态中，温度甚至可以达到400K，这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是（ ）
A: 45 mV/dec
B: 60 mV/dec
C: 70 mV/dec
D: 80 mV/dec
A: 45 mV/dec
B: 60 mV/dec
C: 70 mV/dec
D: 80 mV/dec
举一反三
- 系统的开环传递函数为【图片】，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为,高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec, -40dB/dec B: -20dB/dec, -60 dB/dec C: -40dB/dec, -60 dB/dec D: -40dB/dec, -80 dB/dec
- 系统的开环传递函数为[img=256x44]17de87930216701.png[/img]，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为 , 高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec , -40 dB/dec B: -20dB/dec , -60 dB/dec C: -40dB/dec , -60 dB/dec D: -40dB/dec , -80 dB/dec
- 有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ） A: <img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202011/fa20315615b54f2e9c2935937c1c77e3.png"> B: <img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202011/953d9ddc65f14ffbabf7485517bdc0af.png"> C: 温度升高，亚阈值摆幅增大 D: 亚阈值摆幅的单位是mV
- 专性厌氧产甲烷菌要求的氧化还原电位为（ ） A: +300～+400 mV B: +100 mV以上 C: +400 mV以上 D: -300～-400 mV
- 心电图机的最大灵敏度至少应达到（）。 A: ≥2.5mm／mV B: ≥5mm／mV C: ≥10mm／mV D: ≥20mm／mV E: ≥30mm／mV