下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是()
A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B: MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C: MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在
D: 当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B: MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C: MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在
D: 当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
举一反三
- 下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（） A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在 D: 当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
- MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的____效应产生的。 A: 体 B: 衬底偏置 C: 沟道长度调制 D: 亚阈值导通
- 以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（ ）。 A: 跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力 B: 跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化 C: 跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力 D: MOS管的跨导越大，电压增益也越大
- 题19、MOS管的小信号输出电阻ro是由MOS管的效应产生的。 A: 体 B: 衬偏 C: 沟长调制 D: 亚阈值导通
- MOS管一旦出现()现象，此时的MOS管将进入饱和区。 A: 夹断 B: 反型 C: 导电 D: 耗尽