下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGSD: 当VGS
A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS
举一反三
- 下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是() A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B: MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C: MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在 D: 当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
- 下列关于阈值电压的说法，不正确的是（） A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压 C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通 D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
- 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。
- 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（），并且只能当VGS（）时，才能形有Id。
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大