半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
举一反三
- 半导体激光发光是由（）之间的电子空穴对负荷产生的。
- 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（） A: 非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动 B: 非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动 C: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动 D: 平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
- 关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
- 以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是 A: 半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子，且[img=64x26]1803809c99eaad6.png[/img]。 B: 半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级。 C: 半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡。 D: 在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态。 E: 在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态。 F: 在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态。 G: 半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级。 H: 半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征。
- 本征半导体中的电子空穴对是由（）的作用产生。 A: 空穴移动 B: 自由电子移动 C: 载流子运动 D: 热激发