在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
A: 温度
B: 参杂工艺
C: 杂质浓度
A: 温度
B: 参杂工艺
C: 杂质浓度
C
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
- 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（），而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 E: 空穴 F: 自由电子
内容
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度与关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
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智慧职教: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子的浓度与（ ）关系十分密切。A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
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在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度） A: AB B: BC C: CA D: CB