掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
杂质的含量；温度；本征激励；温度
举一反三
内容
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度与 关系十分密切。
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度与关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
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在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
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智慧职教: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子的浓度与（ ）关系十分密切。A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度