如图电路，R=kΩ，设二极管导通时的管压降为0.5 V，则电压表的读数是______。df56c5b0d2e5aace8a322c0b73811713.jpg
0.5 V
举一反三
- 如图电路中，VC=-V，VA=+3 V，VB=0 V。设二极管正向管压降为0.5 V，则VF=_____ V。504e4cf8c967388f8732d730bdea33af.jpg
- 如图电路,R=kΩ，忽略二极管导通时的管压降，则电流表的读数是______。0ce413a5ed58d028595d00052dbd26cd.jpg
- 图示二极管电路，电压源V为1V，二极管为硅管，R为1千欧，试求电流I=( )mA。（提示：理想模型二极管导通压降为0，非理想模型导通压降为0.7V）[img=728x443]1803a5c9627bec8.png[/img]
- 如图电路中，VC=-12 V，VA=+3 V，VB=0 V。设二极管正向管压降为0.7 V，则VF=______ V。https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/802f66b4b3da021c855fc696630ce444.png
- 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） A: 0.7 B: 1 C: 0.3 D: 5
内容
- 0
在如图所示的二极管电路中,二极管导通;截止。设二极管正向压降为0V,则为(________)V。 A: 15 B: 12 C: ０ D: 27
- 1
硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 2
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。 A: 0 B: 1 C: 5 D: 10
- 3
二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 4
图中稳压管的稳压值为5 V，二极管正向导通管压降为0.7 V，输出电压Uo为（）cd6daa78153e5d1c960a5de10f3cf210.jpg