某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
A: [img=53x27]1803ab5cce69072.png[/img]
B: [img=53x27]1803ab5cd6dbab5.png[/img]
C: [img=53x27]1803ab5cdf38ac4.png[/img]
D: [img=53x27]1803ab5ce8f0d3b.png[/img]
A: [img=53x27]1803ab5cce69072.png[/img]
B: [img=53x27]1803ab5cd6dbab5.png[/img]
C: [img=53x27]1803ab5cdf38ac4.png[/img]
D: [img=53x27]1803ab5ce8f0d3b.png[/img]
举一反三
- 中国大学MOOC: 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 设随机变量X的密度函数为[img=452x125]1803b3b762030cd.png[/img]且E(X)=3/5，则常数a, b为 A: a=3/5, b=6/5 B: a=6/5, b=3/5 C: a=2/5, b=4/5 D: a=4/5, b=2/5
- 设f(x)为连续函数，且 [img=217x49]18034a50d8b1b92.png[/img] 则[img=70x25]18034a50e196c62.png[/img] A: 5 B: 4 C: 0 D: -5
- 设随机变量X服从b(2,p)分布,随机变量Y服从b(3,p)分布。若[img=90x41]17e441ea7c518a0.png[/img] 则[img=63x26]17e441ea85da5ea.png[/img]= A: 8/27 B: 4/9 C: 19/27 D: 5/9