某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
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举一反三
- 中国大学MOOC: 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 A: [img=53x27]1803ab5cce69072.png[/img] B: [img=53x27]1803ab5cd6dbab5.png[/img] C: [img=53x27]1803ab5cdf38ac4.png[/img] D: [img=53x27]1803ab5ce8f0d3b.png[/img]
- 中国大学MOOC: 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（ ）。
- 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。 A: 12A B: 25A C: 36A D: 40A
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。