MOSFET开关的基本工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的通断。
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 对N沟道增强型场效应管工作原理描述正确的是（ ） A: 栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道 B: 当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少 C: 栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生 D: 栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生
- MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（ ）电流。【填 源、漏或栅）
- 场效应管的工作原理是() A: 栅源电压控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电压 C: 栅极电流控制漏极电流 D: 栅极电流控制漏极电压