已知[Co(NH3)6]3+的磁矩为0 B.M.，则中心离子的d电子排布式和晶体场稳定化能分别为
A: dε6dγ0（t2g6eg0），-4Dq
B: dε4dγ2（t2g4eg2），-20Dq+2P
C: dε5dγ1（t2g5eg1），-8Dq
D: dε6dγ0（t2g6eg0），-24Dq+2P
A: dε6dγ0（t2g6eg0），-4Dq
B: dε4dγ2（t2g4eg2），-20Dq+2P
C: dε5dγ1（t2g5eg1），-8Dq
D: dε6dγ0（t2g6eg0），-24Dq+2P
举一反三
- 75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
- 写一个文法G,使其语言为不以0开头的偶数集。 A: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8｜0C→1|3|5||7|9|B B: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→1|2|3|4|5|6|7|8|9C→2|4|6|8｜0 C: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8｜0C→1|2|3|4|5|6|7|8|9D→0|C D: G[S]:S→AB|BA→AD|DB→2|4|6|8｜0D→1|2|3|4|5|6|7|8|9|0
- “[ 2*x+2 for x in range(5) ]”生成的列表是（ ）。 A: [2, 4, 6, 8, 10] B: [0, 2, 4, 6, 8] C: [1, 2, 3, 4, 5] D: [0, 1, 2, 3, 4]
- 在页式虚拟存储管理的计算机系统中，运行一个共有8页的作业，且作业在主存中分配到4块主存空间，作业执行时访问页的顺序为6，0，1，2，0，4，3，1，2，6，7，4，2，5，6，请问用FIFO和LRU替换算法时，它们的缺页中断率分别是多少。（要求图示出内存页面变化情况）。 答：（1）、采用FIFO算法： 访问串 6 0 1 2 0 4 3 1 2 6 7 4 2 5 6 驻留集 6 6 6 6 6 4 4 4 4 4 4 4 2 2 2 0 0 0 0 0 3 3 3 3 3 3 3 5 5 1 1 1 1 1 1 1 6 6 6 6 6 6 2 2 2 2 2 2 2 7 7 7 7 7 是否缺页 × × × × × × × × × × 缺页中断率为：10/15=66.67% （2）、采用LRU算法： 访问串 6 0 1 2 0 4 3 1 2 6 7 4 2 5 6 驻留集 6 6 6 6 6 4 4 4 4 6 6 6 6 5 5 0 0 0 0 0 0 0 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 3 3 3 3 7 7 7 7 6 2 2 2 2 1 1 1 1 4 4 4 4 是否缺页 × × × × × × × × × × × × × 缺页中断率为：13/15=86.67%
- 39号元素钇的核外电子排布式是下列排布中的（ ） A: 1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s 2 3 p 6 3 d 10 4 s 2 4 p 6 4 d 1 5 s 2 B: 1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s 2 3 p 6 3 d 10 4 s 2 4 p 6 5 s 2 5 p 1 C: 1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s 2 3 p 6 3 d 10 4 s 2 4 p 6 4 d 2 5 s 1 D: 1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s 2 3 p 6 3 d 10 4 s 2 4 p 6 5 s 2 5 p 1