75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
在△EFG中,∠G=90°,EG=6,EF=10,则cotE=
在△EFG中,∠G=90°,EG=6,EF=10,则cotE=
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变? ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变? ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
(2)反应C(石墨)+(1/2)O2(g)=CO(g),ΔrHmӨ(298K)<0,若将此反应放入一个恒容绝热容器中进行,则体系() A: ΔT<0,ΔU<0,ΔH<0 B: ΔT>0,ΔU=0,ΔH>0 C: ΔT>0,ΔU>0,ΔH>0 D: ΔT>0,ΔU=0,ΔH=0
(2)反应C(石墨)+(1/2)O2(g)=CO(g),ΔrHmӨ(298K)<0,若将此反应放入一个恒容绝热容器中进行,则体系() A: ΔT<0,ΔU<0,ΔH<0 B: ΔT>0,ΔU=0,ΔH>0 C: ΔT>0,ΔU>0,ΔH>0 D: ΔT>0,ΔU=0,ΔH=0
若F(ω)=[f(t)],利用Fourier变换的性质求下列函数g(t)的Fourier变换.(1)g(t)=tf(2t);(2)g(t)=(t一2)f(t);(3)g(t)=(t一2)f(一2t);(4)g(t)=t3f(2t);(5)g(t)=tf’(t);(6)g(t)=f(1一t);(7)g(t)=(1一t)f(1一t);(8)g(t)=f(2t一5).
若F(ω)=[f(t)],利用Fourier变换的性质求下列函数g(t)的Fourier变换.(1)g(t)=tf(2t);(2)g(t)=(t一2)f(t);(3)g(t)=(t一2)f(一2t);(4)g(t)=t3f(2t);(5)g(t)=tf’(t);(6)g(t)=f(1一t);(7)g(t)=(1一t)f(1一t);(8)g(t)=f(2t一5).
写一个文法G,使其语言为不以0开头的偶数集。 A: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8|0C→1|3|5||7|9|B B: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→1|2|3|4|5|6|7|8|9C→2|4|6|8|0 C: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8|0C→1|2|3|4|5|6|7|8|9D→0|C D: G[S]:S→AB|BA→AD|DB→2|4|6|8|0D→1|2|3|4|5|6|7|8|9|0
写一个文法G,使其语言为不以0开头的偶数集。 A: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8|0C→1|3|5||7|9|B B: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→1|2|3|4|5|6|7|8|9C→2|4|6|8|0 C: G[S]:S→AB|BA→AD|CB→2|4|6|8|0C→1|2|3|4|5|6|7|8|9D→0|C D: G[S]:S→AB|BA→AD|DB→2|4|6|8|0D→1|2|3|4|5|6|7|8|9|0
单位负反馈系统的开环传递函数G(s)=,K>0,T>0,则闭环控制系统稳定的条件是() A: (2K+1)>T B: 2(2K+2)>T C: 3(2K+1)>T D: K>T+1,T>2
单位负反馈系统的开环传递函数G(s)=,K>0,T>0,则闭环控制系统稳定的条件是() A: (2K+1)>T B: 2(2K+2)>T C: 3(2K+1)>T D: K>T+1,T>2
某反应2AB(g)→A(g)+3D(g)在高温时能自发进行,其逆反应在低温下能自发进行,则该正反应的⊿rHmɵ(T)和⊿rSmɵ(T)应为() A: ⊿rHmɵ(T)<0,⊿rSmɵ(T)>0 B: ⊿rHmɵ(T)<0,⊿rSmɵ(T)<0 C: ⊿rHmɵ(T)>0,⊿rSmɵ(T)>0 D: ⊿rHmɵ(T)>0,⊿rSmɵ(T)<0
某反应2AB(g)→A(g)+3D(g)在高温时能自发进行,其逆反应在低温下能自发进行,则该正反应的⊿rHmɵ(T)和⊿rSmɵ(T)应为() A: ⊿rHmɵ(T)<0,⊿rSmɵ(T)>0 B: ⊿rHmɵ(T)<0,⊿rSmɵ(T)<0 C: ⊿rHmɵ(T)>0,⊿rSmɵ(T)>0 D: ⊿rHmɵ(T)>0,⊿rSmɵ(T)<0
已知[Co(NH3)6]3+的磁矩为0 B.M.,则中心离子的d电子排布式和晶体场稳定化能分别为 A: dε6dγ0(t2g6eg0),-4Dq B: dε4dγ2(t2g4eg2),-20Dq+2P C: dε5dγ1(t2g5eg1),-8Dq D: dε6dγ0(t2g6eg0),-24Dq+2P
已知[Co(NH3)6]3+的磁矩为0 B.M.,则中心离子的d电子排布式和晶体场稳定化能分别为 A: dε6dγ0(t2g6eg0),-4Dq B: dε4dγ2(t2g4eg2),-20Dq+2P C: dε5dγ1(t2g5eg1),-8Dq D: dε6dγ0(t2g6eg0),-24Dq+2P